Hynix анонсирует разработку 2-гигабайтной мобильной DRAM-памяти

Представители Hynix Semiconductor сегодня объявили, что компания закончила разработку 2-гигабайтной DRAM-памяти для мобильных устройств на базе технологии 54нм.

Новая мобильная память может работать с максимальной скоростью 400Mbps при питании 1.2V и обрабатывает до 1.6 гигабайта в секунду. Как утверждают представители Hynix, эта память создана специально для использования в мобильных интернет-устройствах следующего поколения и ультра-мобильных персональных компьютерах.

Массовое производство 2-гигабайтной мобильной памяти в Hynix планируют начать в 1 половине 2009 года.



По материалам DigiTimes

Источник: DailyComm