TSMC начнет выпуск полупроводников по 22-нм техпроцессу в 2012 году

Крупнейший производитель полупроводниковых пластин в мире, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), планирует начать пробное производство продукции по 22-нанометровому техпроцессу в третьем квартале 2010 года. Технологический процесс, в соответствии с которым выпустят опытную партию полупроводников, будет оптимизирован по критерию высокой производительности.

Следующие партии полупроводниковых пластин, выпуск которых намечен на первый квартал 2013 года, будут изготовлены по 22-нанометровому техпроцессу, оптимизированному по критерию низкого энергопотребления.

В настоящее время компания TSMC активно ведет разработку полупроводников по 28-нанометровой технологии, опытное производство которых запланирована на июнь 2010 года. Данная продукция будет выпущена с использованием оксинитрида кремния (SiON) и в соответствии с критерием низкого энергопотребления.

В декабре 2010 года компания планирует наладить 28-нанометровый техпроцесс HKMG, оптимизированный по критерию низкого энергопотребления чипов.

Стоит отметить, что 28-нанометровыми полупроводниками уже заинтересовались компании Altera, Fujitsu Microelectronics, Qualcomm и Xilinx.



Источник: DailyComm