Мощность тестирования памяти DDR3 увеличится до 90% |
16.11.2009 11:00
Компании Powertech Technology (PTI), Formosa Advanced Technologies Company (FATC) и Walton Advanced Engineering увеличат мощности по тестированию микросхем DDR3 до 90% в конце 2010 года, в то время как объем тестирования компонентов в конце 2009 будет на уровне 40-50%, передает DigiTimes со ссылкой на сообщения компаний.
На недавней встрече с инвесторами глава компании PTI заявил об увеличении капитальных расходов до 310 миллионов долларов в 2010 году. По итогам 2009 года они не превысят 217,5 миллионов долларов. Кроме того, PTI вложит больше инвестиций в тестирование микросхем DDR3 и NAND-флэш.
В компании FATC заявили, что увеличат капитальные затраты в будущем году до 124,3 миллионов долларов. Предприятие сосредоточится на выпуске микросхем памяти из готовых чипов и покупке нового оборудования для проведения тестов памяти.
В Walton отметили, что память DDR3 будет приносить компании до 90% доходов в конце 2010 года против 20-30% в 2009.
По материалам DigiTimes
Источник: DailyComm
На недавней встрече с инвесторами глава компании PTI заявил об увеличении капитальных расходов до 310 миллионов долларов в 2010 году. По итогам 2009 года они не превысят 217,5 миллионов долларов. Кроме того, PTI вложит больше инвестиций в тестирование микросхем DDR3 и NAND-флэш.
В компании FATC заявили, что увеличат капитальные затраты в будущем году до 124,3 миллионов долларов. Предприятие сосредоточится на выпуске микросхем памяти из готовых чипов и покупке нового оборудования для проведения тестов памяти.
В Walton отметили, что память DDR3 будет приносить компании до 90% доходов в конце 2010 года против 20-30% в 2009.
По материалам DigiTimes
Источник: DailyComm
-
30.03.2022
-
15.03.2022
-
14.03.2022
-
11.03.2022
-
10.03.2022
-
10.03.2022
-
22.02.2022
-
21.02.2022
-
21.02.2022
-
16.02.2022
-
15.02.2022
-
14.02.2022
-
11.02.2022
-
11.02.2022
-
09.02.2022