Спрос на память MRAM в ближайшие годы будет быстро расти

Компания Technavio опубликовала прогноз по глобальному рынку магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Аналитики полагают, что в течение нескольких ближайших лет спрос на такие изделия значительно увеличится.

Технология MRAM предусматривает хранение информации при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Магнитные элементы состоят из двух ферромагнитных слоев, разделенных тонким слоем диэлектрика. Один из этих слоев представляет собой постоянный магнит, намагниченный в определенном направлении. Намагниченность второго слоя изменяется под влиянием внешнего поля. Для считывания данных выполняется измерение электрического сопротивления ячейки.

Память MRAM является энергонезависимой, то есть, сохраняет информацию при отсутствии питания. Таким образом, магниторезистивная память может стать альтернативой флеш-памяти. При этом MRAM имеет быстродействие, сравнимое с памятью SRAM.

Отмечается, что память MRAM востребована в сферах потребительской электроники, автомобильного оборудования, робототехники и систем хранения корпоративного класса. Направление MRAM развивают такие компании, как Fujitsu, Honeywell International, Intel, Qualcomm и Samsung. Однако сейчас рынок достаточно сильно фрагментирован.

Согласно прогнозам, в текущем году мировая отрасль MRAM вырастет в денежном выражении на 25,78%. В дальнейшем ожидается показатель CAGR (среднегодовой темп роста в сложных процентах) на уровне 39%. Это позволит рынку увеличиться к 2024 году на $952,7 млн по сравнению с 2019-м.

Около трети (32%) от общего прироста за рассматриваемый период придется на Северную Америку, где основной вклад вносят Соединенные Штаты. В настоящее время наиболее востребованным типом магниторезистивной памяти является STT MRAM - запись данных с помощью переноса спинового момента.



Источник: DailyComm