В индустрии NAND Flash ожидается новый рекорд по капвложениям

Капитальные вложения в производство микросхем памяти NAND Flash резко взлетели в 2017 году на фоне перехода на 3D NAND. С тех пор объемы инвестиций в отрасли не опускались ниже уровня в 20 млрд долларов, сообщают в исследовательской компании IC Insights.

Аналитики подсчитали, что в 2021 году соответствующие инвестиции поднялись на 13% и достигли 27,7 млрд долларов, едва не повторив рекорд 2018-го в 27,8 млрд долларов.

Впрочем, новый максимум может быть установлен уже в этом году. С учетом умеренно агрессивных планов инвестиций у крупных и мелких поставщиков флэш-памяти ожидается, что капзатраты в сегменте NAND flash в 2022-м вырастут на 8%, до 29,9 млрд долларов.

Если оценка IC Insights окажется верной, то в развитие производства NAND Flash в этом году будет вложено 16% от общей суммы капитальных затрат в 190,4 млрд долларов, которая ожидается на мировом рынке ИС в этом году. Больший объем инвестиций прогнозируется только в фаундри-секторе (IC Foundry - контрактное производство полупроводников по документации заказчика). Предполагается, что в 2022-м на его долю придется 41% от всей суммы капвложений в отрасли.

Среди новых и недавно модернизированных заводов, специализирующихся на флэш-памяти NAND, аналитики перечислили две линии Samsung на южнокорейском предприятии в Пхёнтхэке (они же используются для контрактного производства и изготовления DRAM-продукции); фабрику Samsung в китайском Сиане, где компания реализует вторую фазу своего инвестиционного плана; предприятие Fab 6 компании Kioxia (Flash Ventures) и ее же завод K1 в японской префектуре Ивата; третий завод Micron по выпуску флэш-памяти в Сингапуре. Кроме того, SK Hynix оборудовала под производство NAND Flash оставшиеся площади на своем заводе M15.

В IC Insights ожидают, что в ближайшем будущем поставщикам NAND flash потребуются новые мощности и оборудование, поскольку с конца 2022-го и в начале 2023-го они готовятся включиться в гонку за лидерство в сфере производства чипов 3D NAND с количеством слоев от 200 и более.

Samsung и Micron, вероятно, первыми наладят серийный выпуск таких микросхем позднее в 2022 году. У обеих компаний, а также у SK Hynix, в настоящее время налажено массовое производство 176-слойной памяти NAND Flash.

Еще одна ключевая производственная площадка для изготовления передовых видов флэш-памяти - китайский завод Samsung в Сиане с двумя линиями, каждая из которых сможет выпускать по 120 тысяч полупроводниковых пластин в месяц на полной мощности.

SK Hynix, с учетом повышенного внимания компании к корпоративным хранилищам, рассчитывает перейти на выпуск 196-слойной флэш-памяти в 2023 году.



Источник: DailyComm