IBM создал прототип памяти eDRAM по 32-нм техпроцессу

IBM удалось создать образец встроенной динамической памяти с произвольным доступом eDRAM (embedded dynamic random access memory), которая будет играть роль кэш-памяти для процессоров Power7. Чипы встроенной памяти будут производиться по 32-нм техпроцессу.

Принцип работы eDRAM заключается в увеличении объема кэш-памяти, поэтому она может повысить производительность многоядерных процессоров и других интегральных схем.

Разработанный в IBM прототип eDRAM представляет собой тестовую интегральную микросхему, выполненную с применением технологии SOI ("кремний на изоляторе"), благодаря которой увеличивается производительность памяти, а также уменьшается ее энергопотребление (в режиме ожидания она потребляет вчетверо меньше энергии, чем ныне используемая память).

Кроме того, ячейка памяти eDRAM в 1000 раз устойчивее к случайным сбоям и ошибкам. Скорость работы новой памяти составляет 2 нс.

Основной областью применения eDRAM в настоящее время могут стать центральные серверные процессоры. Однако в будущем встроенная память может применяться в интегральных микросхемах для принтеров, в электронных хранилищах данных и сетевом оборудовании, а также в мобильных и игровых устройствах.



Источник: DailyComm