Samsung потратит 10 млрд долларов на новый полупроводниковый завод |
25.01.2021 12:02
Samsung Electronics намерена инвестировать более 10 млрд долларов в строительстве нового завода по производству чипов в Остине (штат Техас, США). Об этом Bloomberg рассказали люди, знакомые с ситуацией.
По их словам, южнокорейский гигант надеется за счет этого крупного проекта привлечь больше американских клиентов и догнать лидера рынка услуг контрактного производства микросхем Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC).
Собеседники информагентства говорят, что в настоящее время Samsung ведет переговоры по поводу месторасположения предприятия в Остине, которое, как ожидается, будет выпускать чипы с технологическим процессом до 3 нм. По словам информаторов, пока речь идет о предварительных планах, которые в итоге могут быть изменены. В самой Samsung подтвердили изданию, что никаких окончательных решений еще не принято.
По данным источников Bloomberg, Samsung рассчитывает начать производство фабрики в 2021 году, установить большую часть оборудования - в 2022-м, а запустить предприятие - в начале 2023-го. Итоговую сумму инвестиций еще предстоит определить, но на данный момент речь идет о 10 млрд долларов, сообщили источники Bloomberg.
Как отмечает издание, если Samsung реализует упомянутый проект, то в США появится первый завод по производству микросхем с использованием ультрафиолетовой литографии (EUV) - передовой технологии, которую южнокорейская корпорация уже использует для производства микросхем следующего поколения. На данный момент Samsung обладает двумя фабриками с технологией EUV - в Хвасоне и в Пхентхэке, Южная Корея.
Выгоду от строительства предприятия в Техасе получит не только Samsung, но и правительство США. Последнее заинтересовано в перенаправлении потоков занятости обратно в свою страну из Азии, куда сильно переместилась большая часть мирового производства в передовых отраслях за последние пару десятилетий.
Южнокорейская компания даже наняла лоббистов в Вашингтоне с целью получения любых налоговых льгот и субсидий от новой американской администрации. Samsung хочет добиться сделки, даже если и не получит каких-либо серьезных стимулов от правительства.
"Если Samsung действительно хочет стать ведущим в мире производителем чипов к 2030 году, ей нужны огромные инвестиции в США, чтобы догнать TSMC, - говорит старший вице-президент HMC Securities Грег Ро (Greg Roh). - Скорее всего, TSMC реализует планы по постепенному внедрению техпроцесса 3 нм на своем заводе в Аризоне, и Samsung может сделать то же самое. Одной из самых сложных задач сейчас является получение оборудования EUV, при том что Hynix и Micron также стремятся приобрести эти машины".
Ранее TSMC объявила о строительстве полупроводниковой фабрике в Аризоне (США), в которую планирует вложить порядка 12 млрд долларов. Запуск этого предприятия намечен на 2024 год.
Источник: DailyComm
По их словам, южнокорейский гигант надеется за счет этого крупного проекта привлечь больше американских клиентов и догнать лидера рынка услуг контрактного производства микросхем Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC).
Собеседники информагентства говорят, что в настоящее время Samsung ведет переговоры по поводу месторасположения предприятия в Остине, которое, как ожидается, будет выпускать чипы с технологическим процессом до 3 нм. По словам информаторов, пока речь идет о предварительных планах, которые в итоге могут быть изменены. В самой Samsung подтвердили изданию, что никаких окончательных решений еще не принято.
По данным источников Bloomberg, Samsung рассчитывает начать производство фабрики в 2021 году, установить большую часть оборудования - в 2022-м, а запустить предприятие - в начале 2023-го. Итоговую сумму инвестиций еще предстоит определить, но на данный момент речь идет о 10 млрд долларов, сообщили источники Bloomberg.
Как отмечает издание, если Samsung реализует упомянутый проект, то в США появится первый завод по производству микросхем с использованием ультрафиолетовой литографии (EUV) - передовой технологии, которую южнокорейская корпорация уже использует для производства микросхем следующего поколения. На данный момент Samsung обладает двумя фабриками с технологией EUV - в Хвасоне и в Пхентхэке, Южная Корея.
Выгоду от строительства предприятия в Техасе получит не только Samsung, но и правительство США. Последнее заинтересовано в перенаправлении потоков занятости обратно в свою страну из Азии, куда сильно переместилась большая часть мирового производства в передовых отраслях за последние пару десятилетий.
Южнокорейская компания даже наняла лоббистов в Вашингтоне с целью получения любых налоговых льгот и субсидий от новой американской администрации. Samsung хочет добиться сделки, даже если и не получит каких-либо серьезных стимулов от правительства.
"Если Samsung действительно хочет стать ведущим в мире производителем чипов к 2030 году, ей нужны огромные инвестиции в США, чтобы догнать TSMC, - говорит старший вице-президент HMC Securities Грег Ро (Greg Roh). - Скорее всего, TSMC реализует планы по постепенному внедрению техпроцесса 3 нм на своем заводе в Аризоне, и Samsung может сделать то же самое. Одной из самых сложных задач сейчас является получение оборудования EUV, при том что Hynix и Micron также стремятся приобрести эти машины".
Ранее TSMC объявила о строительстве полупроводниковой фабрике в Аризоне (США), в которую планирует вложить порядка 12 млрд долларов. Запуск этого предприятия намечен на 2024 год.
Источник: DailyComm
-
25.12.2024
-
14.10.2024
-
03.10.2024
-
27.09.2024
-
27.09.2024
-
15.09.2024
-
09.09.2024
-
09.09.2024
-
07.09.2024
-
02.09.2024
-
28.08.2024
-
20.08.2024
-
18.08.2024
-
18.08.2024
-
01.08.2024