SK Hynix начала производство памяти 4D NAND flash плотностью 1 Тбит

В среду, 26 июня, SK Hynix объявила о начале серийного производства первых на рынке 128-слойных чипов памяти 4D NAND flash плотностью 1 Тбит.

Новые решения работают с напряжением 1,2 В и обладают скоростью передачи информации в 1,4 Гбит/с.

За счет использования готовой платформы 4D и оптимизации процессов южнокорейский производитель смог уменьшить общее количество производственных процессов на 5%, а также снизить расходы при переходы с 96-слойной памяти к 128-слойной на 60%. В то же время, как несложно посчитать, информационная емкость в расчете на пластину увеличилась на 40%.

SK Hynix собирается начать коммерческие поставки фирменных 2-Тбайт твердотельных накопителей на 128-слойной памяти в первой половине 2020 года. SSD-устройства, предназначенные для дата-центров и облачных систем, объемом 16 Тбайт и 32 Тбайт с поддержкой PCI Express и NVMe также будут выпущены в следующем году.

Новым этапом в развитии 4D NAND от SK Hynix станут 176-слойные микросхемы.

Стоит отметить, что SK Hynix использует название 4D NAND скорее в рекламных целях, поскольку эта память является обычной 3D NAND с периферийными и управляющими цепями, которые перенесены под массив ячеек, а не расположены рядом с ним на кристалле.



По материалам The Korea Herald

Источник: DailyComm