Samsung начала производство MRAM-памяти

Samsung Electronics объявила о запуске серийного производства нового поколения магниторезистивной оперативной памяти (MRAM). Речь идет о встраиваемых решениях (eMRAM), создаваемых на основе технологического процесса FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator - полностью обедненный кремний на изоляторе).

Новая память призвана заменить технологию eFlash, по сравнению с которой первая обладает в 1000 раз более высокой скоростью записи, поскольку eMRAM не требует цикла стирания перед записью данных.

Кроме того, память eMRAM использует более низкие уровни напряжения, чем eFlash, и не потребляет энергию в выключенном режиме, за счет чего достигается более высокая энергоэффективность.

Техпроцесс, который нашел применение в eMRAM, предусматривает более эффективное управление транзисторами и минимизацию токов утечки за счет управления напряжением смещения относительно корпуса (body-bias control). Благодаря этому новинка обладает преимуществами для различных сфер применения микроконтроллеров, устройств Интернета вещей и технологий искусственного интеллекта.

Память получила "встраиваемую" (plug-in) модульную концепцию, за счет которой заказчики получают возможность использования уже существующей инфраструктуры проектирования, что обеспечивает сокращение расходов.



По материалам BusinessKorea

Источник: DailyComm