Samsung выпустила самую быструю флэш-память

В июле 2018 года Samsung Electronics объявила о начале серийного производства чипов памяти V-NAND пятого поколения, которые, как утверждают в компании, обладают самой высокой скоростью передачи данных на рынке.

Благодаря интерфейсу Toggle DDR 4.0, используемого впервые в отрасли, скорость обмена данными между накопителем и новыми 256-гигабитными V-NAND модулями флеш-памяти Samsung достигла 1,4 Гбит/с, что на 40% выше скорости 64-слойного предшественника.

Модули флеш-памяти V-NAND пятого поколения включают 90 слоев ячеек, изготовленных по технологии 3D charge trap flash (CTF). Эти ячейки (максимальное количество слоев в отрасли) сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами.

Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров содержат более 85 млрд CTF-ячеек, каждая из которых может хранить три бита данных.

В пресс-релизе отмечается, что благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения (АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была увеличена более, чем на 30%. Эта технология позволила уменьшить высоту слоя в каждой ячейке на 20%, что обеспечило устранение перекрестных помех между ячейками, и повысить эффективность обработки данных ячейки.

Новые модули V-NAND от Samsung также отличаются минимальным временем записи данных, составляющим 500 микросекунд. Это на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения.



Источник: DailyComm