Samsung запустила производство чипов DRR4 с 10-нм технологией второго поколения

Компания Samsung Electronics анонсировала начало производства первых на рынке чипов памяти DDR4 (Double-Data-Rate-4), использующих 10-нм технологию второго поколения.

Микросхемы емкостью 8 Гбит базируются на 10-нм технологии второго поколения, которая по сравнению с первой версией отличается на 10% выросшим быстродействием. Скорость передачи данных выросла с 3200 до 3600 Мбит/с в расчете на один вывод. При этом потребление энергии уменьшено на 15%.

Новая память может найти применение в широком спектре оборудования, включая серверы, системы высокопроизводительных вычислений, суперкомпьютеры, мобильные устройства и графические ускорители.

Согласно пресс-релизу, Samsung уже завершила процесс проверки совместимости модулей памяти на базе новых чипов с процессорами. Теперь такие устройства могут начать использоваться в составе компьютерных систем.

По данным аналитиков DRAMeXchange, на фоне сохраняющегося дефицита оперативной памяти и ограниченного роста поставок чипов, стоимость различных видов DRAM-продукции в июле-сентябре 2017 года поднялась в среднем на 5% относительно предыдущей четверти. Это, а также традиционное оживление на рынке во второй половине года способствовали поквартальному росту продаж DRAM на 16,2%, до 19,18 млрд долларов.



Источник: DailyComm