SK Hynix вложит 3 млрд долларов в производство памяти |
22.12.2016 11:43
Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix собирается инвестировать почти 3 млрд долларов в изготовление чипов. Компания надеется заработать на растущем спросе на память для мобильных устройств и персональных компьютеров, передает информационное агентство "Рейтер".
В четверг, 22 декабря, SK Hynix сообщила о планах потратить 3,16 трлн вон (2,7 млрд долларов) на расширение полупроводниковых мощностей. Около 2,2 трлн вон пойдет на строительство нового завода по выпуску чипов NAND flash в Южной Корее. Также компания направит 950 млрд вон на расширение производства DRAM-памяти на предприятии в китайском городе Уси.
SK Hynix активно инвестирует в производство. Так, в 2015 году компания сообщила об инвестициях в размере 46 трлн вон (37,8 млрд долларов), напоминает Bloomberg.
Повышение спроса на память в мобильных устройствах и растущее проникновение твердотельных накопителей на рынках компьютеров и серверов подталкивают SK Hynix, Samsung Electronics, Toshiba и других вендоров к увеличению расходов на производство чипов.
"Для дальнейшего роста и работы на растущем рынке NAND flash во главе с решениями 3D NAND важно заранее развивать производственные предприятия", - говорится в заявлении SK Hynix.
По прогнозам аналитиков IHS, в 2016 году объем рынка флэш-памяти вырастет на 5,7% в денежном выражении, а в 2017-м - на 5,9%, до 35,7 млрд долларов.
Растущие продажи памяти благоприятно сказываются на доходах и котировках производителей. С начала нынешнего года акции SK Hynix подорожали на 49%, что стало самой высокой динамикой с 2009 года. В четверг, 22 декабря, акции компании выросли в цене более чем на 1%.
В 2016 году ценные бумаги Toshiba подорожали более чем на 78%. Ранее корпорация сообщила, что годовые доходы в подразделении по выпуску чипов и электроники превысят собственные ожидания благодаря продажам продукции NAND flash.
Котировки Micron Technology поднялись более чем на 45% в нынешнем году. В прошлом квартале компания нарастила выручку впервые почти за два года.
Между тем, аналитики предупреждают, что поставки памяти в 2017 году будут ограничены из-за освоения компаниями новых методов производства. На рынке NAND flash многие производители переходят на выпуск быстрой памяти 3D NAND.
Источник: DailyComm
В четверг, 22 декабря, SK Hynix сообщила о планах потратить 3,16 трлн вон (2,7 млрд долларов) на расширение полупроводниковых мощностей. Около 2,2 трлн вон пойдет на строительство нового завода по выпуску чипов NAND flash в Южной Корее. Также компания направит 950 млрд вон на расширение производства DRAM-памяти на предприятии в китайском городе Уси.
SK Hynix активно инвестирует в производство. Так, в 2015 году компания сообщила об инвестициях в размере 46 трлн вон (37,8 млрд долларов), напоминает Bloomberg.
Повышение спроса на память в мобильных устройствах и растущее проникновение твердотельных накопителей на рынках компьютеров и серверов подталкивают SK Hynix, Samsung Electronics, Toshiba и других вендоров к увеличению расходов на производство чипов.
"Для дальнейшего роста и работы на растущем рынке NAND flash во главе с решениями 3D NAND важно заранее развивать производственные предприятия", - говорится в заявлении SK Hynix.
По прогнозам аналитиков IHS, в 2016 году объем рынка флэш-памяти вырастет на 5,7% в денежном выражении, а в 2017-м - на 5,9%, до 35,7 млрд долларов.
Растущие продажи памяти благоприятно сказываются на доходах и котировках производителей. С начала нынешнего года акции SK Hynix подорожали на 49%, что стало самой высокой динамикой с 2009 года. В четверг, 22 декабря, акции компании выросли в цене более чем на 1%.
В 2016 году ценные бумаги Toshiba подорожали более чем на 78%. Ранее корпорация сообщила, что годовые доходы в подразделении по выпуску чипов и электроники превысят собственные ожидания благодаря продажам продукции NAND flash.
Котировки Micron Technology поднялись более чем на 45% в нынешнем году. В прошлом квартале компания нарастила выручку впервые почти за два года.
Между тем, аналитики предупреждают, что поставки памяти в 2017 году будут ограничены из-за освоения компаниями новых методов производства. На рынке NAND flash многие производители переходят на выпуск быстрой памяти 3D NAND.
Источник: DailyComm
-
25.12.2024
-
14.10.2024
-
03.10.2024
-
27.09.2024
-
27.09.2024
-
15.09.2024
-
09.09.2024
-
09.09.2024
-
07.09.2024
-
02.09.2024
-
28.08.2024
-
20.08.2024
-
18.08.2024
-
18.08.2024
-
01.08.2024