Samsung сокращает инвестиции в DRAM-память

Корпорация Samsung Electronics официально объявила о планах сократить инвестиции на рынке оперативной памяти (DRAM). Южнокорейский гигант решил сосредоточиться на производстве чипов NAND flash.

Как сообщает издание Business Korea, на встрече с инвесторами руководство Samsung объявило о намерениях уменьшить вложения в изготовление памяти DRAM. Любопытно, что слухи об этом не появлялись в СМИ (это касается не только Samsung, но и других производителей), и Samsung впервые раскрыла подобные планы, отмечает источник.

Samsung собирается сделать ставку на флэш-бизнес, который способен компенсировать слабые продажи оперативной памяти и увеличить общую выручку компании в полупроводниковой отрасли. В 2016 году Samsung удалось за счет сокращения расходов значительно увеличить операционную рентабельность на рынке NAND flash - до 25% с 17% в 2015-м.

Business Korea приводит данные, согласно которым, к концу 2015 года доля Samsung на мировой рынке чипов флэш-памяти составила 31,6% против 18,3% и 17,6% у ближайших преследователей Toshiba и SanDisk соответственно. Следом идут Micron (13,4%), SK Hynix (10,7%), Intel (7,5%), Macronix (0,7%) и Powerchip (0,2%). Количество производителей этой памяти больше, чем в случае с DRAM.

На фоне того, как ведущие производители памяти NAND flash, такие как Intel и SK Hynix, наращивают инвестиции в производство микросхем 3D NAND flash, рост расходов Samsung в этом направлении может больно ударить по конкурентам, считают обозреватели.

По их словам, увеличение производства флэш-памяти неизбежно, поскольку, как прогнозируют аналитики, средняя емкость постоянной памяти в смартфонах удвоится во второй половине 2016 года.

Samsung считается первым производителем серийной памяти 3D NAND. По данным аналитиков DRAMeXchange, в первом квартале 2016 года Intel и Micron запустили совместное массовое производство такой памяти на заводе в Сингапуре. Пока американские компании могут выпускать лишь 3 тысячи полупроводниковых пластин в месяц, однако в течение года планируется увеличение производственных мощностей до 40 тысяч пластин. Технология производства памяти 3D NAND у Intel и Micron стабилизируется быстрее, чем ожидалось, отмечают эксперты.



Источник: DailyComm