TSMC стала первым производителем 16-нм чипа FinFET |
30.09.2014 16:14
Компания TSMC объявила об успешном создании первого в мире многоядерного сетевого процессора по технологии 16-нм FinFET. Этот чип предназначен для использования в сфере беспроводных сетевых коммуникаций, а также для установки в высокопроизводительные маршрутизаторы нового поколения. Разработчиком новинки выступила компания HiSilicon.
Результатом стал мощный многоядерный процессор, несущий в себе 32 64-битных ядра ARM Cortex-A57, способных работать на частоте до 2,6 ГГц. Новое решение сочетает в себе 16-нанометровый техпроцесс FinFET для логических ядер и 28-нанометровый - для сопутствующей им логики ввода-вывода. Объединить два разных техпроцесса удалось с помощью новой гетерогенной технологии упаковки CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate). Как заявила президент HiSilicon Тереза Хе (Teresa He), производительность нового сетевого процессора, разработанного в стенах компании и воплощенного в кремний с помощью технологий TSMС, в три раза превышает производительность лучших решений предыдущего поколения.
Применение техпроцесса 16-нм FinFET позволяет существенно поднять плотность упаковки транзисторов по сравнению с обычным 28-нанометровым техпроцессом HPM. При равном уровне энергопотребления 16-нанометровые чипы могут работать на 40 % быстрее, либо на 60 % экономичнее, если оставить тактовую частоту неизменной.
Удивительно, но первым массовым заказчиком решений на базе нового техпроцесса стала компания HiSilicon, а отнюдь не AMD или Nvidia, которые в прошлые времена никогда не упускали случая стать первопроходцами в использовании новейших технологий производства микрочипов.
Источнки: DailyComm
Результатом стал мощный многоядерный процессор, несущий в себе 32 64-битных ядра ARM Cortex-A57, способных работать на частоте до 2,6 ГГц. Новое решение сочетает в себе 16-нанометровый техпроцесс FinFET для логических ядер и 28-нанометровый - для сопутствующей им логики ввода-вывода. Объединить два разных техпроцесса удалось с помощью новой гетерогенной технологии упаковки CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate). Как заявила президент HiSilicon Тереза Хе (Teresa He), производительность нового сетевого процессора, разработанного в стенах компании и воплощенного в кремний с помощью технологий TSMС, в три раза превышает производительность лучших решений предыдущего поколения.
Применение техпроцесса 16-нм FinFET позволяет существенно поднять плотность упаковки транзисторов по сравнению с обычным 28-нанометровым техпроцессом HPM. При равном уровне энергопотребления 16-нанометровые чипы могут работать на 40 % быстрее, либо на 60 % экономичнее, если оставить тактовую частоту неизменной.
Удивительно, но первым массовым заказчиком решений на базе нового техпроцесса стала компания HiSilicon, а отнюдь не AMD или Nvidia, которые в прошлые времена никогда не упускали случая стать первопроходцами в использовании новейших технологий производства микрочипов.
Источнки: DailyComm
-
30.03.2022
-
15.03.2022
-
14.03.2022
-
11.03.2022
-
10.03.2022
-
10.03.2022
-
22.02.2022
-
21.02.2022
-
21.02.2022
-
16.02.2022
-
15.02.2022
-
14.02.2022
-
11.02.2022
-
11.02.2022
-
09.02.2022