Samsung переходит на 40-нм технологию для Flex-OneNAND

Компания Samsung Electronics объявила об использовании 40-нм технологии для производства 8-Гб микросхем памяти Flex-OneNAND.

Микросхемы объединяют в одном изделии два типа флэш-памяти NAND: одноуровневые ячейки (SLC) и многоуровневые (MLC). Это позволило Samsung увеличить выход новой памяти на 180% по сравнению с первыми чипами Flex-OneNAND плотностью 4 Гбит, которые выпускались по нормам 60 нм.

Такие чипы найдут свое применения в нескольких областях: от смартфонов до телевизоров высокой четкости (HDTV) и устройств для онлайн-вещания ТВ(IPTV). В компании не исключают, что уже в недалеком будущем можно будет увеличить оперативную память телефонов с 1 до 32 гигабайт.



По материалам DigiTimes

Источник: DailyComm