Первый в мире чип DDR3-памяти плотностью 4 Гбит от Samsung

Сегодня компания Samsung Electronics заявила, что разработала первый в мире чип трехканальной памяти DDR3 плотностью 4 Гбит.

Изготовленные по 50-нм технологии чипы будут применяться для создани 8- и 16-Гб модулей памяти RDIMM, которые найдут свое применение в высокопроизводительных ноутбуках и серверах, где требуется общее повышение эффективности работы. Они будут экономить до 20% энергии по сравнению с существующими 2-Гб аналогами, а пропускная способность составит 1,6 Гбит/с.

По словам Samsung, в скором будущем компании начнет массовое производство новой памяти.



По материалам Electronista

Источник: DailyComm