Samsung представила процессор Exynos 4212 и новый чип флеш-памяти

В рамках ежегодного мероприятия Mobile Solutions Forum, организованного компанией Samsung Electronics, южнокорейский производитель продемонстрировал несколько новых продуктов. Наиболее приметным из них стал процессор Exynos 4212.

Двухъядерный чип, выполненный по 32-нм технологическому процессу, работает на тактовой частоте 1,5 ГГц, что на 0,3 ГГц больше по сравнению с предшествующим поколением Exynos. Новинка получила обновленное графическое ядро, способное на 50% быстрее обрабатывать трехмерную графику. Пробные партии Exynos 4212 будут поставляться сторонним производителям в течение осени 2011 года. Известно, что эти процессоры установлены в смартфонах Galaxy S II LTE и Galaxy S II HD LTE.

Еще одним представленным в рамках Mobile Solutions Forum продуктом стал чип памяти NAND Flash объемом 64 Гб, рассчитанный для смартфонов и планшетов. Он создан по 20-нм норм и использует интерфейс Toggle DDR2, позволяющий добиться трехкратного увеличения пропускной способности чипов флеш-памяти в сравнении с образцами, использующими интерфейс Toggle DDR 1.0. Новые чипы флеш-памяти могут считывать информацию на скорости 80 Мб/с, а записывать при 40 Мб/с. Разработчики утверждают, что новые изделия получили 60-процентный прирост производительности по сравнению с прежними продуктами Samsung.



По материалам Electronista

Источник: DailyComm