Toshiba и Hynix будут продвигать MRAM-память

Японская компания Toshiba совместно с южнокорейской Hynix Semiconductor намерены совместными усилиями заняться разработкой и производством энергонезависимой магниторезистивной памяти с произвольной выборкой (Magnetic Random Access Memory, MRAM).

Главное отличие таких модулей памяти - записанная информация не пропадает при отключении питания, так как электроны способны сохранять положение спина сколь угодно долго. Кроме того, MRAM-память является более энергоэффективной по сравнению с DRAM-аналогом и в будущем сможет заменить ее.

MRAM уже нашла применение в сотовых телефонах, мобильных компьютерах, идентификационных картах. Кроме того, новую память используют военные для управления боевыми ракетами и для контроля за космическими станциями.

"Мы уверены, что MRAM имеет огромный потенциал в плане масштабируемости и энергоэффективности", - говорит Киеси Кобаяши (Kiyoshi Kobayashi), старший вице-президент Toshiba Corporation и глава подразделения Toshiba Semiconductor and Storage Products. "Мы будем активно поддерживать всякие инициативы по интеграции продуктов хранения данных, включая MRAM, NAND и HDD. Совместная программа с Hynyx в направлении к MRAM-памяти является ключевым шагом."

Компании только-только начинают совместную работу, поэтому говорить о готовых продуктах еще преждевременно.



По материалам Reuters.com

Источник: DailyComm