Samsung начинает серийное производство 30-нм памяти RDIMM объемом 32 Гб

Компания Samsung Electronics с гордостью объявила о том, что она стала первым производителем, начавшим серийный выпуск 32-гигабайтных модулей оперативной памяти DDR3, выполненных на основе 30-нанометровых чипах плотностью 4 гигабита. Изделия, представляющие собой модули регистровой памяти (RDIMM, Registered Dual Inline Memory Module), могут быть использованы в серверных системах.

Разработанная память работает на тактовой частоте 1866 МГц и напряжении 1,35 В, тогда как предшествующие 32-гигабайтные DRAM-модули, изготовленные по 40-нм нормам, использовали частоту 1333 Мгц и вольтаж 1,5.

"Представив данные модули, Samsung вышла на новый конкурентоспособный уровень продуктов на рынке DRAM-памяти для персональных компьютеров, серверов и мобильных устройств", - говорит Ванхун Хонг (Wanhoon Hong), исполнительный вице-президент по маркетингу и продажам памяти в компании Samsung Electronics. "Мы также планирует во 2-й половине года начать поставки более энергоэффективной 4-гигабитной памяти DDR3 DRAM с 20-нм технологической основой, что позволит существенно расширить растущий рынок экологически чистой памяти".

Старт производства 4-гигабитных микросхем памяти DDR3 DRAM, изготовляемых по 30-нм техпроцессу, состоялся в феврале 2011 года.



По материалам TechConnect Magazine

Источник: DailyComm