Samsung представляет новый тип мобильной DRAM-памяти

20 февраля, в воскресенье, Samsung сообщила о создании нового типа оперативной памяти, предназначенной для смартфонов и планшетных ПК. Отличительной чертой новой мобильной DRAM является значительно расширенная пропускная способность. При создании оперативной памяти за основу был взят чип LPDDR2. Большей пропускной способности удалось добиться за счет дополнительных контактов, число которых возросло с 32 до 512. Результатом стало восьмикратное увеличение производительности оперативной памяти в сравнении с обычными DDR-чипами для мобильных устройств - с 1,6 Гбит/с до 12,8 Гбит/с. Также новая мобильная DRAM в 4 раза превосходит по производительности и традиционные чипы LPDDR2.

Помимо улучшенных показателей производительности, новый тип мобильной DRAM характеризуется низким энергопотреблением. По утверждению Samsung, данный показатель удалось сократить на 87%.

Новая разработка сначала будет выпущена в виде гигабитных чипов (128Мб), произведенных при помощи 50-нанометровой технологии. Samsung не уточняет, как скоро начнутся их поставки, однако в долгосрочной перспективе, а именно к 2013 году, компания планирует выпустить четырехгигбитные версии (512 Мб) с применением 20-нанометровой производственной технологии.



По материалам Electronista

Источник: DailyComm