OCZ первой переходит на 25-нм флеш-память

Американская компания OCZ Technology, один из лидеров на рынке высокоскоростных модулей памяти, стала первым производителем твердотельных накопителей, при изготовлении которых используется техпроцесс ниже 30 нм. По словам разработчиков, переход на флеш-память типа 2Xnm NAND позволяет привнести новые возможности в развитие устройств хранения данных, причем не в ущерб стоимости.

Однако не обошлось без негативного влияния при обращении к передовому техпроцессу, количество циклов записи данных пришлось существенно уменьшить. 25-нанометровая памяти NAND Flash выдержит до 3000 циклов перезаписи, тогда как накопители с 34-нанометровой основой имеют показатель 5000 циклов, а значит, способны "прожить" намного дольше.

Еще одним минусом является потеря свободного пространства. Несколько гигабайт просто-напросто будут недоступны пользователям, поскольку те отвечают за сохранность накопителей от преждевременного "старения". Первые клиенты OCZ, которым довелось приобрести 25-нм устройства, действительно отмечают отсутствие необходимых 4-5 гигабайт.

В целом флеш-накопители с 25-нм архитектурой пока не особо выгодны для производителей и потребителей, но в будущем эта технология должна зарекомендовать себя.



По материалам TechConnect Magazine

Источник: DailyComm