Toshiba Memory Europe представляет разработку 96-слойной флеш-памяти BiCS FLASH на основе технологии QLC
Toshiba Memory Europe GmbH объявила о разработке опытного образца 96-слойной флеш-памяти BiCS FLASH – устройства хранения данных на основе собственной технологии 3D флеш-памяти с четырехуровневыми ячейками (QLC), которая позволяет увеличить объем памяти на одном кристалле до ранее недостижимых значений.
Технология QLC предусматривает увеличение количества бит данных в ячейке памяти с трех до четырех, существенно расширяя емкость. Новое устройство обладает максимальным в отрасли объемом памяти – 1,33 ТБ на одном кристалле и разработано совместно с компанией Western Digital Corporation.
Оно также позволяет достичь непревзойденной емкости 2,66 ТБ в одном корпусе за счет использования многоуровневой архитектуры из 16 кристаллов.
Компания Toshiba Memory начнет поставки ознакомительных образцов производителям SSD-дисков и контроллеров SSD-дисков для оценки в начале сентября, а начало серийного производства ожидается в 2019 году.
Источник: 2L
