Intel и Micron построят завод по производству памяти NAND Flash

Компании Intel и Micron объявили о планах расширения деятельности своего совместного предприятия в Сингапуре, в результате реализации которых в этой стране будет построен четвертый завод по выпуску модулей флэш-памяти класса NAND. Строительство нового завода в Сингапуре должно завершиться к концу 2010 года.

Впервые о создании совместного предприятия в Сингапуре сообщалось в конце 2006 года, а начало производства было назначено на 2008 год. Но в связи с экономическим кризисом проект был заморожен на неопределенный срок - как выяснилось, до сегодняшнего момента.

Наблюдая за увеличением спроса на флеш-память в смартфонах и твердотельных накопителях, альянс Intel-Micron полон оптимизма при оценке будущего рынка памяти NAND Flash.

Конкуренты также продолжают наращивать производственный потенциал. Так, Toshiba и SanDisk объявили о создании совместного предприятия в Японии, на котором к середине 2011 года будут выпускаться новые чипы памяти NAND Flash. Samsung ранее уже сообщала о своих планах инвестировать огромные средства в этот сегмент памяти.



По материалам DigiTimes

Источник: DailyComm