Samsung представила чип OneNAND плотностью 8 Гбит |
06.05.2010 11:58
Южнокорейский полупроводниковый гигант Samsung Electronics объявил о выпуске чипов флеш-памяти OneNAND плотностью 8 Гбит. Подобная разработка зарекомендует себя в устройствах, требующих от памяти высокую скорость работы, емкость и надежность, например, в топовых смартфонах.
Чипы OneNAND изготовлены по 30-нанометровому технологическому процессу и основываются на технологиях SLC NAND и MLC NAND. Южнокорейским инженерам удалось почти в четыре раза увеличить скорость чтения данных по сравнению с традиционным NAND Flash - 70 Мб/с против 17 Мб/с. Такой производительности удалось добиться за счет интерфейса, применяемого во флеш-памяти типа NOR.
Еще одним ключевым достоинством памяти OneNAND также является малое энергопотребление.
На данный момент Samsung подготовила лишь первые образцы памяти OneNAND 8 Гбит. В конце мая ожидается начало массового производства.
Источник: DailyComm
Чипы OneNAND изготовлены по 30-нанометровому технологическому процессу и основываются на технологиях SLC NAND и MLC NAND. Южнокорейским инженерам удалось почти в четыре раза увеличить скорость чтения данных по сравнению с традиционным NAND Flash - 70 Мб/с против 17 Мб/с. Такой производительности удалось добиться за счет интерфейса, применяемого во флеш-памяти типа NOR.
Еще одним ключевым достоинством памяти OneNAND также является малое энергопотребление.
На данный момент Samsung подготовила лишь первые образцы памяти OneNAND 8 Гбит. В конце мая ожидается начало массового производства.
Источник: DailyComm
-
30.03.2022
-
15.03.2022
-
14.03.2022
-
11.03.2022
-
10.03.2022
-
10.03.2022
-
22.02.2022
-
21.02.2022
-
21.02.2022
-
16.02.2022
-
15.02.2022
-
14.02.2022
-
11.02.2022
-
11.02.2022
-
09.02.2022