Samsung ускоряет работу памяти в смартфонах

Компания Samsung Electronics смогла сделать настоящий прорыв в разработке флеш-памяти для портативных устройств. Инженеры создали чип памяти, в котором объединены кристаллы PRAM и DRAM. Такая компоновка была применена впервые в индустрии, а результатом работы стало трехкратное увеличение производительности памяти по сравнению с традиционной NOR Flash. Это означает, что передача музыки, фотографий или видео на смартфонах и цифровых плеерах может происходить в разы быстрее.

В конфигурацию нового изделия входит 512 Мбит памяти типа PRAM, которая, по словам разработчиков, обладает обратной аппаратной и программной совместимостью с NOR памятью. Это, в свою очередь, поможет производителям телефонов использовать преимущества многокристальных модулей MCP (Multi-Chip Package), сохраняя полную технологическую совместимость с применяемыми ранее отдельными PRAM-чипами.

Поставки новых чипов памяти должны начаться к концу весны 2010 года. Наиболее вероятным клиентом Samsung должна стать компания Apple.



Источник: DailyComm