Micron и Nanya представляют DRAM-память на базе техпроцесса 42 нм

Представители компании Micron Technology и Nanya Technology представили разработанный совместно 2-гигабайтный чип оперативной памяти DDR3, созданный на базе техпроцесса 42 нм.

Как отмечается, пробное производство новой памяти начнется во втором квартале 2010 года, а старт массового производства запланирован на вторую половину 2010 года. Важная особенность этих чипов заключается в экономии потребляемой электроэнергии - представленная память позволяет сократить общее энергопотребление системы на 30%, причем как в рамках десктопов и ноутбуков, так и в рамках серверов. Кроме того, небольшие размеры новой памяти позволят выпускать модули общей емкостью до 16 Гб.

Также стоит отметить, что сотрудничество Micron и Nanya продолжится, так как в настоящее время специалисты обеих компаний совместно занимаются разработкой различных типов памяти на базе техпроцесса 30 нм.



По материалам DigiTimes

Источник: DailyComm