Samsung начинает производство 30-нм микросхем памяти NAND Flash

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 30-нанометровых микросхем флеш-памяти NAND с архитектурой многоуровневых ячеек (MLC). Максимальная скорость чтения данных составляет 133 Мб/с, когда как прошлые модификации NAND Flash имели показатель 40 Мб/с.

Съемная память - основной сектор для представленных микросхем. Когда в обычных флеш-картах скорость считывания информации не превышает 17 Мб/с, Samsung демонстрирует здесь трехкратное превосходство - 60 Мб/с. Плотность памяти была увеличена до трех бит на ячейку, что позволяет вместить на 50% больше данных. Примечательно, что все это достигается без ущерба в энергопотреблении.

Новые микросхемы найдут применение в SSD-накопителях, высокопроизводительных картах памяти SD, картах памяти для смартфонов, в портативных медиаплеерах, MP3-плеерах и автомобильных навигационных системах. Главным кандидатом называется компания Apple, которая зачастую одна из первых использует новые технологии в своих плеерах iPod и смартфонах iPhone.



По материалам Electronista

Источник: DailyComm