Elpida готовится к выпуску 40-нм модулей 2Gb DDR3 SDRAM

В компании Elpida Memory заявили о завершении разработок 40-нм чипа памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гб. Первые образцы новой памяти будут направлены производителям в ноябре, а массовое производство планируется начать до конца 2009 года. В развитие новых технологий будет инвестировано около 450 миллионов долларов.

По данным производителя, память отличается высокой скоростью работы, низким энергопотреблением и компактностью исполнения. Из одной 40-нм кремниевой подложки можно сделать на 44% больше продукции, чем из 50-нм субстрата DDR3 SDRAM. 40-нм чипы потребляют в среднем на две трети меньше энергии и рассчитаны на стандарты 1,2/1,35 В.

В планах компании в будущем году уделить внимание 40-нм технологической линии и увеличить долю выпускаемых продуктов на 40-нм основе до 50 процентов.

Кроме того, Elpida занимается разработкой нового 65-нанометрового технологического процесса XS, который сможет конкурировать с 50-нм процессом других компаний. Для создания 65-нм решений потребуются кристаллы меньших размеров.



По материалам DigiTimes

Источник: DailyComm