SanDisk и Toshiba планируют внедрить 20-нм техпроцесс

Компания Toshiba и ее партнеры-поставщики NAND Flash-памяти планируют начать массовое производство чипов на основе 20-нанометрового технологического процесса во второй половине 2010 года, передает DigiTimes с ссылкой на индустриальные источники. При этом на совместном предприятии SanDisk и Toshiba в японском городе Йоккаичи будет увеличена производственная мощность до 200 тысяч выпускаемых подложек памяти ежемесячно.

Изначально, в Toshiba планировали увеличить объем выпускаемых заводом продуктов на архитектуре 32 нм до 50% к концу 2009 года, однако производитель, как сообщается, значительно отстает от своего графика.

Конкуренты Intel и Micron Technology рассчитывают внедрить 20-нм технологию позднее в 2009 году, как отмечалось ранее.

Массовое производство 32-гигбайтных чипов памяти NAND Flash на основе технологии 3bpc 34-нм активно ведется на просторах совместного предприятия IM Flash Technologies. Технология 3bpc NAND производства NAND-памяти на базе многоуровневой структуры ячеек, при которой каждая ячейка способна хранить три бита данных, создана на 34-нанометровом процессе и предназначена для изготовления чипов памяти, которые применяются в устройствах хранения данных - картах памяти и твердотельных накопителях (SSD).

Внедрение нового техпроцесса 20 нм позволит значительно снизить расходы на производство SSD-накопителей и ускорить процесс замены обычных жестких дисков.



По материалам DigiTimes

Источник: DailyComm