Китайский чипмейкер Yangtze Memory планирует бросить вызов Samsung на рынке 3D NAND

Ведущий китайских производитель микросхем памяти Yangtze Memory планирует в 2021 году удвоить производство NAND flash и начать выпуск передовых чипов, не уступающих продукции Samsung и других конкурентов. Если компания достигнет поставленных целей, это станет важнейшим шагом КНР по созданию самодостаточной полупроводниковой цепочки поставок внутри страны, передает Nikkei.

Yangtze Memory намерена ко второй половине 2021 года довести объемы производства чипов флэш-памяти до 100 тысяч полупроводниковых пластин в месяц, что составит около 7% от общемирового показателя. Об этом изданию сообщили два источника, осведомленные о планах китайского вендора.

В случае успеха Yangtze Memory, основанная в 2016 году, сможет сократить отставание от лидера отрасли Samsung, объемы производства NAND flash у которого оцениваются примерно в 480 тысяч полупроводниковых пластин в месяц. У Micron, крупнейшего американского производителя флэш-памяти, соответствующий показатель составляет 180 тысяч полупроводниковых пластин.

Также Yangtze Memory намерена ускорить разработку технологий следующего поколения, что позволит ей бросить вызов Samsung и другим ведущим производителям NAND flash, включая японскую Kioxia, южнокорейскую SK Hynix и американскую Micron.

По информации источников, китайский вендор, уже освоивший серийное производство 64- и 128-слойных микросхем 3D NAND, в первой половине 2021 года собирается выпустить пробную партию более совершенных чипов со 192-слойной компоновкой.

При этом Samsung и Micron все еще продолжают разработку 176-слойных микросхем, а наиболее передовым видом продукции NAND flash, который сегодня доступен на рынке, считаются 128-слойные чипы.

Впрочем, рыночные обозреватели пока осторожны в оценках перспектив Yangtze Memory и говорят, что сначала необходимо оценить характеристики и качество продукции китайского вендора, чтобы понять, сможет ли она превзойти чипы, выпускаемые лидерами отрасли.



Источник: DailyComm