Samsung начала производство своих самых быстрых чипов памяти для смартфонов

Во вторник, 17 марта, Samsung Electronics сообщила о запуске серийного производства, как утверждает компания, первых на рынке чипов памяти eUFS 3.1 емкостью 512 Гбайт. Они предназначены для флагманских смартфонов.

Скорость записи eUFS 3.1 превышает 1 Гбит/c, что втрое выше, чем у памяти предыдущего поколения eUFS 3.0 объемом 512 Гбайт. В конце 2020 года Samsung также выпустит накопители вместимостью 256 и 128 Гбайт.

Скорость последовательной записи Samsung eUFS 3.1 составляет более 1200 Мбит/с, что более чем вдвое превосходит скорость решений для ПК на базе SATA (540 Мбит/c) и более чем в десять раз - скорость microSD-карты UHS-I (90 Мбит/c). Это означает, что доступ к очень большим файлам, таким как видео 8K или фотографии высокого разрешения, осуществляется с той же скоростью, что и на ультратонком ноутбуке, и без необходимости использования буфера, говорится в пресс-релизе.

По словам разработчиков, смартфону с памятью eUFC 3.1 потребуется только 1,5 минуты на копирование 100 Гбайт данных, тогда как телефону на базе UFC 3.0 - более четырех минут.

Производительность случайного чтения и записи eUFS 3.1 на 60% выше по сравнению с накопителями UFS 3.0, и составляет 100 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70 000 IOPS для записи.



По материалам FoneArena

Источник: DailyComm