SK Hynix разработала первый в мире чип c применением технологии TSV |
26.12.2013 13:50
Южнокорейская компания SK Hynix, второй по величине в мире производитель компьютерной памяти (уступает только соотечественнице Samsung Electronics), сообщила о том, что ей первой удалось разработать чип памяти с применением технологии межслойных соединений (Through Silicon Via, TSV).
По словам разработчиков, это достижение поможет вскоре создать модули памяти, которые превзойдут существующие образцы по показателям скорости и энергопотребления. Новая память создана в сотрудничестве с компанией AMD и включает четыре 40-нм микросхемы DRAM-памяти, скомпонованные при помощи технологии TSV.
В Hynix отметили, что разработанная память позволяет передавать данные на скорости 128 Гбит/с, что в разы быстрее по сравнению с отраслевым стандартом Graphics Double Data Rate 5 (GDDR5). В случае GDDR5 пропускная способность микросхем равна 12,8 Гбит/с, у GDDR4 - 3,2 Гбит/с, у GDDR3 - 2,4 Гбит/с.
Несмотря на огромный прирост быстродействия, TSV-память работает при напряжении питания лишь в 1,2 вольта, а потребление энергии при этом снижено на 40%.
Среди потребителей, которые могут по достоинству оценить преимущества новой памяти, производитель называет пользователей суперкомпьютеров, серверов и других изделий, для которых скорость работы графической подсистемы является критически важной составляющей общей производительности компьютера.
Серийное производство TSV-памяти компания Hynix планирует начать во второй половине 2014 года.
По материалам The Korea Herald
Источник: DailyComm
По словам разработчиков, это достижение поможет вскоре создать модули памяти, которые превзойдут существующие образцы по показателям скорости и энергопотребления. Новая память создана в сотрудничестве с компанией AMD и включает четыре 40-нм микросхемы DRAM-памяти, скомпонованные при помощи технологии TSV.
В Hynix отметили, что разработанная память позволяет передавать данные на скорости 128 Гбит/с, что в разы быстрее по сравнению с отраслевым стандартом Graphics Double Data Rate 5 (GDDR5). В случае GDDR5 пропускная способность микросхем равна 12,8 Гбит/с, у GDDR4 - 3,2 Гбит/с, у GDDR3 - 2,4 Гбит/с.
Несмотря на огромный прирост быстродействия, TSV-память работает при напряжении питания лишь в 1,2 вольта, а потребление энергии при этом снижено на 40%.
Среди потребителей, которые могут по достоинству оценить преимущества новой памяти, производитель называет пользователей суперкомпьютеров, серверов и других изделий, для которых скорость работы графической подсистемы является критически важной составляющей общей производительности компьютера.
Серийное производство TSV-памяти компания Hynix планирует начать во второй половине 2014 года.
По материалам The Korea Herald
Источник: DailyComm
-
30.03.2022
-
15.03.2022
-
14.03.2022
-
11.03.2022
-
10.03.2022
-
10.03.2022
-
22.02.2022
-
21.02.2022
-
21.02.2022
-
16.02.2022
-
15.02.2022
-
14.02.2022
-
11.02.2022
-
11.02.2022
-
09.02.2022