Samsung начинает производство 20-нм флеш-памяти 3-bit-per-cell

Корпорация Samsung Electronics с гордостью объявила о начале производства 20-нм чипов флеш-памяти 3BPC (3-bit-per-cell) объемом 64 Гбит (8 Гб). Такая архитектура микросхем флэш-памяти позволяет хранить до трех бит в одной ячейке памяти, делая возможным увеличение информационной емкости готовых флэш-накопителей.

Переход на более "тонкий" технологический процесс указывает на очередное снижение размеров интегральных микросхем - по заверениям разработчиков, изготовленные ими микросхемы объемом 64 Гбит являются самыми миниатюрными и недорогими микросхемами из представленных сегодня на мировом рынке.

"Samsung неоднократно была первопроходцем на рынке передовых решений NAND Flash, включая, например, выпуск 30-нм чипов емкостью 32 Гбит в ноябре прошлого года", - отметил Сейджин Ким (Seijin Kim), вице-президент подразделения Flash Memory Planning/Enabling в Samsung. По словам господина Кима, в новых чипах применяется технология Toggle DDR, с ее помощью разработчики устройств смогут серьезно увеличить скорость передачи данных.

3-битные флеш-чипы Samsung позволят увеличить вместимость флешек, карт памяти SD, твердотельных накопителей и накопителей в смартфонах.



По материалам Forbes

Источник: DailyComm